江苏先导微电子科技有限公司半导体高端装备研发生产建设项目
水土保持方案报告书
项目建设必要性:半导体行业是信息技术产业的核心,是支撑社会经济发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。中国目前俨然是半导体产品消费的第一大国,但从进口结构来看,绝大多数计算机和服务器通用处理器中95%的高端专用芯片,70%以上智能终端处理器以及绝大多数存储芯片依赖进口。从工艺流程来看,半导体制造要经过晶圆制备→晶圆制造→封装检测三个阶段,而我国掌握的技术主要集中于技术壁垒相对低的第一和第三阶段,在第二阶段的制造设备和工艺上的大部分领域还是空白,为了促进国产半导体产业的发展,江苏先导微电子科技有限公司半导体高端装备研发生产建设项目应运而生,项目建成后可以为半导体发展助力。
项目名称:江苏先导微电子科技有限公司半导体高端装备研发生产建设项目
建设单位:江苏先导微电子科技有限公司
项目位置:项目位于徐州市高新技术产业开发区五环路北侧,同创路西侧。项目地块中心地理坐标为北纬34.12954330°,东经117.14865446°(采用WGS2000坐标系统)。
原始地貌:拟建场地属于徐淮黄泛平原区,地块原始地貌为农田和植被,地块用地为建设用地,地块交付前已由政府完成土地平整的相关工作。
项目性质:新建建设类
工程占地:项目区总占地面积9.64hm2,永久占地面积9.64hm2,其中建筑物占地面积5.17 hm2,道路及配套设施占地面积3.70 hm2,绿化区占地面积为0.77 hm2,工程原始占地类型为建设用地。
建设规模及主要内容:项目规划总用地面积96353.32m2(144.53亩),规划总建筑面积99329.86m2,其中:应用测试车间42320.32m2,设备测试车间 12288.00m2,环保动力车间5130.00m2,装备车间18216.00m2,甲类仓库480.00m2,倒班楼20815.54m2,门卫一50.00m2,门卫二30.00m2。购置国内外高端生产制造设备,同时建设与本项目相配套的给排水、供配电、道路、绿化等辅助工程。
项目组成:本工程由建筑物、道路及配套设施、景观绿化三部分组成。建设内容主要包括土建工程、给排水、电力、通信、消防等公用工程以及室外道路、配套设施、厂区景观绿化等。
拆迁安置情况:不涉及征地拆迁和移民安置的问题。
工程投资:项目投资286300.00万元,其中土建投资32873.89万元。
建设工期:项目开工时间为2021年12月,预计2022年11月完工,总工期12个月。
土石方挖填量:
本项目总占地面积为9.64hm2,永久占地面积为9.64hm2。
工程土石方挖填总量10.91万m3;挖方量5.34万m3;填方量5.57万m3(其中绿化种植土0.23万m3,一般土石方5.34万m3),无弃方,借方为0.23万 m3(均为外购绿化种植土)
建设单位:江苏先导微电子科技有限公司
建设地点:江苏省/徐州市/铜山区
备注: